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我校量子材料与器件团队在超导材料与忆阻器研究中获突破

发布时间:2026-03-07 作者:任婷 编辑:张莉;审核:周頔 点击:

我校智能制造学院量子材料与器件团队成员文志伟博士、毛双锁博士分别在铁基超导体基础研究、光电忆阻器领域取得重要研究进展,相关成果相继发表于国际权威期刊。这彰显了团队在量子材料与器件研发领域的扎实研究功底和前沿创新能力。

文志伟博士的研究成果以《Critical phenomenon of Cu doping and its correlation with superconductivity suppression in FeSe0.4Te0.6single crystals》为题,发表于中科院1区期刊《Superconductor Science and Technology》(影响因子4.2)。该研究围绕Cu掺杂FeSe0.4Te0.6单晶体系展开系统探究,首次在低浓度Cu掺杂(x=0.01)的该体系中观测到量子临界现象,并明确了其形成机理。研究发现,该体系在晶体结构层面存在铜原子掺入机制的显著转变,低浓度下为间隙式掺杂,高浓度下则转变为代位式掺杂;同时,在临界掺杂区间,体系出现金属-绝缘体转变,结合电阻率分析证实,这一转变由面内无序度增强与杂质散射效应加剧共同导致。研究成果为该领域的机理探索提供了全新实验视角与重要依据。该论文以四川文理学院为第一完成单位,西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室、福建师范大学物理与能源学院为共同通讯单位。

与此同时,团队毛双锁博士在仿生视觉与光电器件领域的综述成果以《Bioinspired artificial vision system based on photoelectric memristors》为题,发表于国际顶级综述期刊《Materials Science & Engineering R》。该期刊为中科院1区TOP期刊,最新影响因子达 26.8,是材料科学领域极具影响力的权威综述期刊。该成果系统梳理了基于光电忆阻器的人工视觉系统的研究进展,内容涵盖器件结构、工作机制、材料与器件设计,以及在人工视觉领域的具体应用与现存挑战。通过分析光电忆阻器当前状况与未来前景,探讨其如何推动视觉信息处理技术的创新,并促进其在实际中的广泛应用。该论文以四川文理学院为第一完成单位,西安交通大学、福建师范大学为共同通讯单位。

团队成果的取得,有力彰显了我校“塔石人才工程”在高层次人才引育与创新团队建设方面的丰硕成效,是学校持续深耕人才队伍、不断优化学术生态的重要体现。文志伟博士于2024年从西南交通大学获得博士学位后入职我校,主要致力于新型超导材料的开发及其机理研究。其以扎实的科研功底与持续探索的精神,近年来在Physical Review B、Superconductor Science and Technology、Journal of Alloys and Compounds等国际著名期刊发表SCI论文10余篇。毛双锁博士于2024年从福建师范大学获得博士学位后加入我校,研究领域聚焦于忆阻器材料与器件等方向。近年来在Nano Energy、Materials Science & Engineering R、Journal of Colloid and Interface Science、Advanced Electronic Materials等国际期刊累计发表SCI论文40余篇,其中第一作者10余篇,获中国发明专利授权1项,并主持国家自然科学基金项目1项。

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